APD
APD, PIN PD (InGaAs)
- * InGaAs APD, pin PD 는 800nm~1700nm 영역을 감지 하고 주로 1300nm와 1550 nm 용도에 많이 사용 하고 있습니다.
- * Available in various packages
- * 50, 75, 100, 350 μm diameters
- * High responsivity at 1300 and 1500 nm
- * Low capacitance for high bandwidths (to 3.5 GHz)
본문
Excelitas사는 Silicon, InGaAs PIN, APD,등의 다양하고 고성능의 Photodiode를 제공합니다.
200 nm 에서 1800nm까지의 감지 영역을 제공하기 위해 Silicon과 InGaAs 재질의 photodiode를 사용합니다.
이들 제품은 고객들의 sensitivity 와 응답속도에 대한 요구 사항을 맞추기 위해 다양한 크기와 Package로 제공됩니다.
추가적인 pre-amplifier와 filter option들은 특정 사양 제품이 있습니다.
Avalanche photodiode들은 일반 photodiode들 보다 더 높은 sensitivity를 제공합니다.
그것은 최고로 낮은 레벨의 광감지 및 photon counting에 이상적입니다.
Silicon 과 InGaAs 재질로 공급되는 이들 제품들은 각각 400 nm에서 1100 nm까지와 800nm에서 1800nm까지 감지 합니다.
Multiple configuration은 넓은 영역의 sensitivity 와 speed option 제공을 가능하게 합니다.
아래 다운로드 제품군은 InGaAs Photodiodes 입니다.
-InGaAs Avalanche Photodiodes,
-InGaAs PIN Photodiodes
* Application
- Telecommunications
- Instrumentation
- Data transmission
- High speed switching
- Data links and LANs
첨부파일
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C30616-617-637-618 version 2015-09-11.pdf (591.8K)
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C30617L-618L SMD series.pdf (448.5K)
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C30659 4-2016.pdf (617.4K)
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C30665GH-4.pdf (713.4K)
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DTS_C30645_C30662_Series.pdf (741.6K)
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DTS_LLAM.pdf (849.5K)
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HPS L3D markets - applications 2013.pdf (1.2M)
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