UV LED Photolithography
UV LED Wafer Edge Exposure
현재로서는 대부분의 WEE 애플리케이션은 350~450nm 사이의 스펙트럼 범위에서 광대역 방사선을
사용합니다. 가장 일반적인 솔루션은 정격 전력이 150~500W인 기존의 광섬유 결합 수은 방전 램프입니다.
WEE에는 광대역 노출이 필요하기 때문에 이러한 시스템 설정에 대한 보다 경제적이고 신뢰할 수 있는
대안을 찾는 것이 어려웠습니다. 유연한 LED 조명 가이드를 통해 광학 출력을 제공하도록 설계된
Primelite의 고급 조명 엔진 ALE/1 및 ALE/3을 입력하세요. 두 시스템 모두 기존 수은 방전 램프의
스펙트럼 범위를 포괄하며 웨이퍼 가장자리 노광 공정에 필요한 일반적인 강도를 쉽게 능가합니다.
본문
WEE(Wafer Edge Exposure)는 대량 반도체 제조의 일반적인 단계입니다. WEE는 웨이퍼 스테퍼와 같은 노광 도구를
사용하여 노광 후 웨이퍼의 둥근 모서리와 ID 영역을 처리합니다. Fab에서는 생산 라인에 이러한 고강도 노출을 추가하여
웨이퍼에서 반도체 장치의 수율을 높입니다. WEE는 웨이퍼 가장자리에서 절대 최소 노출 폭을 허용하여 수율 손실을
최소화하거나(포지티브 레지스트) 추가 처리 중에 가장자리를 오염으로부터 보호합니다(네거티브 레지스트).
WEE 장비는 독립형 장치로 반도체 웨이퍼 트랙에 연결하거나 스테퍼 장비에 직접 통합할 수 있습니다.
첨부파일
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PGL-06-00079-H-Advanced-Light-Engine-ONE-Handout-EN.pdf (1.1M)
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PGL-06-00094-H-Advanced-Light-Engine-THREE-Handout-EN.pdf (1,004.4K)
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